各國第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)部署重點(diǎn)及方向分析

文章來源:恒光電器

發(fā)布時間:2013-10-14

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  GaN的發(fā)展過程與功率密度息息相關(guān)。從1970年到2000年，每經(jīng)過10年左右電源的大小就會減小到原來的1/40，功率密度按照指數(shù)級增長。但在2000年以后，以硅為原料的器件已經(jīng)發(fā)展到了其極限點(diǎn)。為了進(jìn)一步的發(fā)展，則必然要采用新型的材料，即氮化鎵(GaN)和碳化硅(Sic)。

        1993年起GaN正式進(jìn)入LED市場，獲得了很大的成功。在其功率密度又提升了10倍之后，LED照明工程，GaN進(jìn)入微波器件市場，為無線通訊領(lǐng)域帶來了一次變革。在過去的幾年中，其功率密度再次得到長足的進(jìn)步，GaN進(jìn)入功率器件市場。總體而言，照明產(chǎn)品，GaN應(yīng)用的發(fā)展趨勢為功率密度不斷提升，可靠性不斷提升，LED球泡燈，成本不斷下降。

        根據(jù)美國能源部對其LED市場所做出的總結(jié)，從2010年到2012年，照明方案，LED的光電效率增長了50%，LED照明企業(yè)，而2010年至2011年，光電成本下降了70%。由于效率的提升和成本的下降，LED進(jìn)入通用照明領(lǐng)域，在美國的市面上可以很方便地買到led燈，設(shè)計，人們在家庭中使用LED成為新的趨勢。

        美國與第三代半導(dǎo)體的研究與發(fā)展相關(guān)的項目主要包括：美國的EERE(Energy Efficient & Renewable Energy)項目，其重點(diǎn)在于降低成本。已完成的項目包括：Veeco公司通過多反應(yīng)系統(tǒng)提升LED器件產(chǎn)量項目，KLA-Tencor公司通過監(jiān)察系統(tǒng)提升LED產(chǎn)量及減小資源浪費(fèi)項目，Ultratech公司通過調(diào)整光刻工具以降低高亮度LED生產(chǎn)成本項目等。2013年EERE新啟動的LED和OLED項目包括：Cree公司低成本、高效率LED可伸縮燈具，Eaton公司低成本、高能效半導(dǎo)體整合式燈具生產(chǎn)制造，Philips Lumileds照明公司藍(lán)寶石基底InGaN/GaN LED的研發(fā)與工業(yè)化，OLEDWorks公司Oled照明創(chuàng)新型低成本、高效能生產(chǎn)與處理技術(shù)，恒光電器,照亮您的生活，PPG Industries公司OLED集成基底生產(chǎn)工藝等。

        DARPA(Defense Advanced Research Projects Agency)2009年推出NEXT(Nitride Electronic Next-Generation Technology)項目，目的在于進(jìn)行氮化物開關(guān)的研究，恒光電器,照亮您的生活，恒光電器,照亮您的生活，開發(fā)方向是高壓、高速度、高電流。項目內(nèi)容具體包括：將電力開關(guān)器件提升至200V阻塞電壓、電阻降至1 ohm-m、轉(zhuǎn)換速度達(dá)到500V/nsec;通過NJTT(Near Junction Thermal Transport)技術(shù)將GaN在SiC基底生長的工藝與鉆石基底相結(jié)合，以產(chǎn)生新的熱處理流程;通過生產(chǎn)4寸SiC基底GaN晶片實(shí)現(xiàn)28V MMIC(Monolithic Microwave Integrate Circuit)的大批量生產(chǎn)，使得GaN的產(chǎn)量提高300%以上，同時MMIC的成本降低至25%以下;GaN產(chǎn)品在40V、200℃的條件下MTTF(平均失效時間)達(dá)到1000萬小時以上，質(zhì)量，在225℃條件下，MTTF達(dá)到100萬小時以上。

        美國能源部最新推出的NNMI(National Network for Manufacturing Innovation)項目是一個由研究機(jī)構(gòu)組成的網(wǎng)絡(luò)，由總統(tǒng)奧巴馬直接牽頭，旨在促進(jìn)全美的生產(chǎn)制造創(chuàng)新與發(fā)展，將研究和生產(chǎn)結(jié)合，填補(bǔ)其間的空白，讓制造業(yè)回歸美國。其中，最主要的三家研究機(jī)構(gòu)均側(cè)重于WBG(寬禁帶)半導(dǎo)體電力電子器件的制造;多學(xué)科中心側(cè)重于GaN/SiC基底電力電子及LED照明組件與系統(tǒng)的生產(chǎn)和設(shè)計。該計劃特別強(qiáng)調(diào)了6英寸和8英寸生產(chǎn)線，二者可能會由于300mm生產(chǎn)線的使用和發(fā)展或國外競爭而導(dǎo)致低產(chǎn)。NNMI項目每年投入1400萬美元，投資持續(xù)5年，采用50%成本分擔(dān)制，每年僅有一家公司可獲得項目投資。

        此外，美國國防部推動了GaN在射頻領(lǐng)域的應(yīng)用。目前GaN的可靠性、可生產(chǎn)性已經(jīng)可以完全取代砷化鎵(GaAs)，尤其是在高能量應(yīng)用中。GaN與GaAs相比在能量密度上有很大的優(yōu)勢，能夠?qū)崿F(xiàn)高輸出與高頻率，在更小的體積中實(shí)現(xiàn)更高的能量。在電子掃描陣列雷達(dá)中，在使用GaN的條件下，照明方案，照明方案，在同樣的區(qū)域內(nèi)GaN掃描達(dá)到GaAs 速度的5倍，或者在同樣的速度下，其掃描面積比GaAS大50%。在使用GaN的情況下，質(zhì)量，雷達(dá)可以在體積縮減到一半的情況下實(shí)現(xiàn)更高的掃描效率。

        美國在第三代半導(dǎo)體技術(shù)與研發(fā)方面的發(fā)展進(jìn)步主要用于支持新一代AESA(Active Electronically Scanned Array)雷達(dá)、新型電子戰(zhàn)系統(tǒng)和商業(yè)應(yīng)用。

        美國能源部對于WBG半導(dǎo)體的發(fā)展目標(biāo)為：體積更小、速度更快、效率更高。具體包括：實(shí)現(xiàn)較高的功率轉(zhuǎn)換及照明效率;提升在高電壓及高溫下的運(yùn)作能力;達(dá)到更高的頻率。其所面臨的挑戰(zhàn)主要包括：在成本方面如何讓更大尺寸的晶片降低成本;在穩(wěn)定性方面如何耐受更高的電壓、更強(qiáng)的電流和更高的溫度;在系統(tǒng)集成方面，如何在布線、測試、封裝等方面均實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性提高。WBG半導(dǎo)體的應(yīng)用主要包括：工業(yè)電機(jī)方面，主要包括高效率變速傳動裝置等;電子設(shè)備方面，恒光電器，主要包括數(shù)據(jù)中心、通信電源、家用電子產(chǎn)品等;電網(wǎng)整合方面，恒光電器，主要包括太陽能和風(fēng)力渦輪機(jī)等;實(shí)用工具方面，主要包括減小變壓器體積等;以及電動車和混合驅(qū)動機(jī)車、軍事、地?zé)峒罢彰鞯绕渌�方面�?/p>

        日本在過去的兩年中發(fā)展方向有所轉(zhuǎn)變，很多公司轉(zhuǎn)向成為專門生產(chǎn)GaN的企業(yè)。發(fā)生轉(zhuǎn)變的原因主要包括：600V-1200V功率器件已成為規(guī)模最大的市場，而GaN在這一區(qū)間內(nèi)有著十分優(yōu)異的表現(xiàn);在SiC基底上生長GaN技術(shù)的進(jìn)步使得GaN功率器件的成本大幅度降低;企業(yè)只需通過對現(xiàn)有設(shè)備進(jìn)行調(diào)整便可實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)的轉(zhuǎn)型和升級。

        在未來，第三代半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢主要具備以下幾方面特征：半導(dǎo)體照明將側(cè)重于降低成本和向更廣闊的市場拓展;由國防推動的射頻領(lǐng)域應(yīng)用需要更高的功率密度以實(shí)現(xiàn)降低成本;功率應(yīng)用有著最大的增長潛力，例如，600V及以上的器件需求量潛力較大，但其研發(fā)仍需攻關(guān)。